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期刊用光催化剂TiO_2降解2,2-二氯乙烯基二甲基磷酸酯的研究被引量:21
《化学工业与工程》1998年第4期17-21,共5页颜秀茹 宋宽秀  王建萍 陈松哲 张世红 
天津市自然科学基金
本文研究了不同晶型TiO2对2,2-二氯乙烯基二甲基磷酸酯的光催化性能,并讨论了催化剂用量、光照时间、溶液的初始pH及H2O2和Fe3+浓度等因素对光催化效果的影响。
关键词:有机磷农药 二氯乙烯基 二甲基磷酸酯 光催化剂 
期刊平面型共振隧穿二极管的制作(英文)
《纳米技术与精密工程》2007年第3期197-199,共3页 郭维廉 张世林 梁惠来 
采用离子注入方法制作了一种新型平面共振隧穿二极管(RTD),通过离子注入将器件之间进行隔离,避免了传统台面型RTD中采用的台面刻蚀所带来的一些缺点,并且表现出良好的I-V特性,峰谷电流比为3.4.通过该方法制作的RTD将更有利于RTD的平面集成.
关键词:共振隧穿二极管 离子注入 峰谷电流比 
期刊共振隧穿晶体管的反相器统一模型被引量:1
《半导体学报:英文版》2007年第1期84-91,共8页郭维廉 牛萍娟  于欣 王伟 梁惠来 张世林 李建恒 宋瑞良  齐海涛 毛陆虹 
超高速专用集成电路重点实验室基金(批准号:51432010204Jw1401);国家自然科学基金(准号:60536030)资助项目~~
综合分析了各种不同结构的共振隧穿晶体管(RTT),将其等效为一反相器电路,建立了一个统一的RTT模型.在此模型中,按照处理反相器的方法来分析RTT的I-V特性,对各种不同类型的I-V特性给出了统一的解释.该模型所导出的结果与相应的电路模拟...显示全部
关键词:共振隧穿晶体管 反相器统一模型 RTT器件结构 RTT I-V特性 
期刊平面型RTD及其MOBILE的设计与研制被引量:2
《半导体学报:英文版》2006年第12期2167-2172,共6页郭维廉 梁惠来 张世林  毛陆虹 宋瑞良 牛萍娟 王伟 商跃辉 王国全 冯震 
超高速专用集成电路重点实验室基金资助项目(批准号:51432010204JW1401)~~
鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n+GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设计研制平面型RTD和由其构成的单-双稳转换逻辑单元,此种结构...显示全部
关键词:RTD 平面型RTD 离子注入 MOBILE 
期刊Preparation of CeO_2-TiO_2/SiO_2 and Its Removal Properties for Fluoride Ion被引量:1
《稀土学报:英文版》1998年第4期36-41,共6页颜秀茹 宋宽秀 王建萍  杨朝辉 
Hydrousoxidesofsomemetals,suchasCe,Nb,La,Tietc.,showexcelentadsorptioncapacitiesandselectivityforF-[1],which...显示全部
关键词:Rare earths CERIUM OXIDE SOL GEL method FLUORIDE ION adsorption 
期刊肖特基栅型共振隧穿晶体管的制作研究
《固体电子学研究与进展》2007年第1期28-31,共4页 郭维廉 张世林 梁惠来 宋瑞良 
专用集成电路国家重点实验室基金项目(No.51432010204JW1401)资助
已研制成了肖特基栅共振隧穿晶体管,在双势垒结构上蒸发铂金形成栅。通过调制准二维电子积累层的面积进而达到控制隧穿电流的目的。并对发射极正反接电压不同而出现的不同调制现象进行了分析。
关键词:共振隧穿晶体管 肖特基栅 负阻 
期刊RE_xO_y·nH_2O对氟离子的吸附性能被引量:4
《应用化学》1998年第4期92-94,共3页宋宽秀 颜秀茹  王建萍 杨朝晖 
天津市自然科学基金
The particulate hydrous oxides of rare-earth RExOy· nH2O(RE=Ce,Nd,La,Pr)have been prepared using polyacrylonitrile as adhesive agent. They showed better fluorideremoving property. The adsorption mechanism in rela...显示全部
关键词:稀土 水合氧化物 吸附剂 除氟 氟离子 
期刊栅型共振隧穿晶体管的设计与研制被引量:1
《半导体学报:英文版》2006年第11期1974-1980,共7页郭维廉 梁惠来 宋瑞良 张世林 毛陆虹  李建恒 齐海涛 冯震 田国平 商跃辉 刘永强 李亚丽 袁明文 李效白 
超高速专用集成电路重点实验室基金资助项目(批准号:51432010204JW1401)~~
在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改...显示全部
关键词:共振隧穿晶体管 栅控型器件 GaAs基量子器件 
期刊RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管的设计与研制
《半导体学报:英文版》2007年第10期1594-1598,共5页梁惠来 郭维廉 宋瑞良 齐海涛 张世林  李建恒 毛陆虹 商跃辉 冯震 田国平 李亚丽 
对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,栅压对峰值电压调控能力在1.5~7.7范围内,-3dB截止频率为4GHz,此种器件可与HEMT在结构和工艺上兼容,可应用于HEMT高速电路.
关键词:RTT RTD HEMT 跨导截止频率 电流峰谷比 
期刊平面型RTD与BJT构成的串联单元特性分析
《微纳电子技术》2007年第1期6-10,共5页王伟 牛萍娟 郭维廉 于欣  
超高速专用集成电路重点实验室基金项目(51432010204Jw1401);国家自然基金项目(NSFC605360300);天津市应用基础研究重点资助项目(043800811)
采用了n+-GaAs衬底和硼离子注入的新型工艺实现了共振隧穿二极管(RTD)的平面化,解决了台面型RTD工艺的不足,得到常温电流峰谷比为2.51∶的平面型RTD(PRTD);利用高级设计系统ADS电路模拟和实验测量对PRTD与BJT串联单元的不同串联方式的电...显示全部
关键词:平面型共振隧穿二极管 离子注入 RTD/BJT串联单元 高级设计系统 
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