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期刊共振隧穿二极管(RTD)的物理模型——共振隧穿器件讲座(3)被引量:5
《微纳电子技术》2006年第4期167-171,共5页郭维 
介绍了共振隧穿二极管物理模型的量子力学基础,重点讲解共振隧穿两种物理模型,从不同维度隧穿的特点分析共振隧穿和非共振隧穿的区别,为以后讨论分析共振隧穿器件的特性奠定基础。
关键词:共振隧穿 物理模型 单势垒 量子阱 相干隧穿 顺序隧穿 不同维度 
期刊共振隧穿二极管型光探测器和光调制器被引量:2
《微纳电子技术》2008年第1期6-11,共6页陈乃金 郭维 牛萍娟 王伟 于欣 
安徽省教育厅自然科学资金资助项目(KJ2007B247);安徽省高等学校青年教师科研资助计划自然科学基金项目(2007jq1086);安徽工程科技学院青年教师科研自然科学基金资助项目(2005YQ007)
将共振隧穿二极管(RTD)的核心结构——双势垒系统与光探测器和调制器的原理相结合可构成共振隧穿光探测器和共振隧穿光调制器。这些器件既保持了RTD高频、高速的特点,同时又具备了光探测器和光调制器原有的功能,可用于光电集成电路。介...显示全部
关键词:共振隧穿二极管 光电器件 光探测器 光调制器 
期刊一种新型结构的光电负阻器件被引量:2
《半导体学报:英文版》2003年第10期1078-1083,共6页李丹 李树荣 夏克军 郭维 郑云光 
提出了一种新型结构的硅光电负阻器件———光电双耦合区晶体管 (photoelectricdualcoupledareatransistor,PDUCAT) ,它是由一个P+ N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的 .由于两个NPN管到光电二极管的距离不同 ,使得它们对光...显示全部
关键词:光电器件 负阻 模拟 晶体管 
期刊共振隧穿二极管中的电荷积累效应——共振隧穿器件讲座(4)被引量:1
《微纳电子技术》2006年第4期172-176,共5页郭维 
介绍了共振隧穿二极管(RTD)中电荷积累效应,利用顺序隧穿模型分析了RTD中有电荷积累时器件各部分电压的再分布;并结合电压降局限于双势垒区和遍及整个RTD的两种情况,建立了电荷和电流方程;最后利用电荷积累效应解释了负阻区本征双稳态...显示全部
关键词:共振隧穿二极管 电荷积累效应 双稳态 
期刊标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备被引量:1
《光电子.激光》2010年第5期644-646,共3页杨广华 毛陆虹 黄春红 王伟 郭维 
国家自然科学基金资助课题(60536030,60676038);天津市基础研究重点项目(06YFJZJC00200,08JCZDJC24100)
采用新加坡半导体制备有限公司的0.35um EEPROM双栅标准CMOS工艺设计和制备了U型Si-LED发光器件。器件结构采用P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+叉指结构形成U型器件,外部的两个P+区为保护环,在相邻的内部两个P+区之间使用多晶硅作为...显示全部
关键词: 发光器件 CMOS标准工艺 
期刊应用于无源UHF RFID标签的CMOS兼容集成微型太阳能电池研究被引量:3
《光电子.激光》2012年第6期1051-1056,共6页侯贺刚 张世林 郭维 毛陆虹 谢生 韩磊 
国家自然科学基金(61072010)资助项目
在标准CMOS工艺下,设计了一种与CMOS工艺兼容的片上集成太阳能电池阵列,通过从外部环境收集光能为UHF射频识别(RFID)标签供电。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺制备出太阳能电池阵列,其面积约为0.2mm2;在AM1.5、1 000W/m2、25℃标准测试条件...显示全部
关键词:射频识别(RFID)标签 CMOS 微型太阳能电池 片上集成 
期刊SOI结构P型SiGe沟道混合模式晶体管器件模型研究被引量:1
《半导体学报:英文版》2003年第3期312-317,共6页夏克军 李树荣 王纯 郭维 郑云光 陈培毅 钱佩信 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9836 0 2 0 )~~
在带有应变SiGe沟道的SOIMOSFET结构中 ,把栅和衬底相连构成了新型的混合模式晶体管 (SiGeSOIBMHMT) .在SIVACO软件的器件数值模拟基础上 ,对这种结构的P型沟道管工作过程作了分析 ,并建立了数学模型 .提出在低电压 (小于 0 7V)下 ,衬...显示全部
关键词:晶体管 BMHMT 器件模型 SIGE SOI MOSFET 
期刊三端电压控制型负阻器件及其发展前景
《半导体杂志》1990年第4期39-47,共9页郭维 
关键词:半导体 负阻器件 三端电压 控制型 
期刊RTD振荡特性的模拟与研究
《高技术通讯》2008年第9期938-942,共5页王伟 牛萍娟 郭维 于欣 杨广华 李晓云 
国家自然科学基金(60536030)资助项目
为解决共振隧穿二极管(RTD)振荡功率的提高受到稳定性限制的问题,利用高级设计系统(ADS)电路仿真,研究了 RTD 分别与 RLC(电阻、电容、电感)、HEMT(高电子迁移率晶体管)及 HBT(异质结双极晶体管)构成的大信号振荡电路,分析了其负阻、双...显示全部
关键词:共振隧穿二极管(RTD) 振荡器 高级设计系统(ADS) 双稳特性 
期刊8nm基区宽度负阻双异质结晶体管的设计与研制
《纳米技术与精密工程》2014年第1期32-36,共5页郭维 张世林 王伊钿 毛陆虹 谢生 
国家自然科学基金资助项目(50935001;51275559);工信部科技重大专项资助项目(2011ZX04014-071)
本文利用分子束外延(MBE)技术能精确控制外延层厚度的特点,与选择性腐蚀技术相结合,实现了纳米级超薄基区宽度.利用集电极电压VCE调制中性基区宽度可以改变基极电阻,从而产生微分负电阻(NDR),根据这一物理机制,设计并研制成功性能优良的...显示全部
关键词:双异质结晶体管 微分负电阻 INGAP 分子束外延 纳米级器件 
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