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期刊一种新的单边高压器件的模拟及参数提取方法被引量:4
《固体电子学研究与进展》2004年第2期173-177,共5页曹娜 吴瑞 郑国祥 
单边高压器件具有源、漏电阻不对称且与工作电压成非线形的依赖关系的特点 ,文中提出一种单边高压 MOS器件模型 ,在不改变 BSIM3 V3模拟模型方程的基础上 ,对 BSIM3 V3模型参数的物理意义和取值进行重新的定义来表示单边高压器件的这...显示全部
关键词:BSIM3V3 单边高压MOS 器件模型 参数提取 
期刊光电子技术被引量:1
《中国无线电电子学文摘》2005年第3期6-23,共18页
TN2 2005030056 1MeV电子辐照对碲镉汞中波光导器件的影响/乔辉,贾嘉,陈新禹, 李向阳,龚海梅(中国科学院上海技术物理所)//红外与毫米波学报.- 2004,23(3).-172-175 研究了1MeV电子辐照对中波碲镉汞光导器件的影响.通过测试辐照前后光...显示全部
关键词:碲镉汞 光纤光栅 双折射效应 探测率 光电子技术 器件模型 电子辐照 光子晶体光纤 包层模 响应率 
期刊适合VLSI/ULSI的深亚微米MOS器件模型BSIM2的研究被引量:1
《微电子学》1997年第3期176-180,共5页陈勇 肖兵 杨漠华 
论述了深亚微米MOS器件模型BSIM2。从强反型区、亚阈区、过渡区及输出电阻等几方面,以物理概念为基础进行了较详细分析,并与国内1μm工艺的nMOS测量数据进行了比较。
关键词:MOS器件 器件物理 器件模型 亚微米器件 
期刊0800半导体微电子技术与纳米技术
《电子科技文摘》2005年第8期30-35,共6页
0519179新型 CNT-FED 栅极结构表面二次电子发射研究[刊.中]/王琦龙//应用科学学报.—2005,23(3).—265-268(C2)0519180大尺寸 CNT-FED 阴极制备研究[刊,中]/王琦龙//应用科学学报.—2005,23(3).—261.264(C2)提出了两种碳纳米管场致发...显示全部
关键词:半导体制造 纳米技术 丝网印刷法 场致发射 性能测试 印刷方法 器件模型 边界扫描测试 芯核 二次电子发射 
期刊一种CMOS工艺离子敏场效应型晶体管的模型
《电子器件2011年第4期367-369,共3页卫铭斐 于军琪 陈登峰 
陕西省教育厅专项科研计划项目(02JC50)
采用CMOS工艺可以实现离子敏场效应型晶体管(ISFET),若在栅极氧化层之上保留多晶硅层,并通过引线使其与外界的金属层相连作为悬浮的栅极,可实现悬浮栅结构ISFET。从ISFET的传感机理出发,根据表面基模型,利用HSPICE建立了悬浮栅结构ISFE...显示全部
关键词:离子敏场效应晶体管 器件模型 静态特性 动态特性 
期刊宽剂量率范围的集成电路瞬时电离辐射效应模拟方法研究
《核电子学与探测技术》2017年第7期726-733,共8页杜川华 周开明 熊涔 
中物院发展基金"体硅及SOI器件的瞬时剂量率辐射效应建模方法研究";2015B0403086
借助于计算机开展器件和电路辐射效应的数值模拟,已成为抗辐射加固电路设计、制造和辐射性能预测、评估的重要环节。文章深入研究了国际上先进的光电流模型,提出了一种适用于较宽剂量率范围的集成电路瞬时电离辐射效应模拟方法。针对一...显示全部
关键词:剂量率 瞬时电离辐射 运算放大器 电路仿真 器件模型 瞬态光电流 
期刊14 nm FinFET栅围寄生电容的建模与拟合被引量:1
《微电子学》2017年第5期706-709,共4页郑芳林 任佳琪 刘程晟 李小进 石艳玲 孙亚宾 
国家自然科学基金资助项目(61574056;61204038)
提出了一种基于保角映射方法的14nm鳍式场效应晶体管(FinFET)器件栅围寄生电容建模的方法。对FinFET器件按三维几何结构划分寄生电容的种类,再借助坐标变换推导出等效电容计算模型,准确表征了不同鳍宽、鳍高、栅高和层间介质材料等因素...显示全部
关键词:鳍式场效应晶体管 TCAD 寄生电容 器件模型 
期刊AlGaN/GaN HEMT势垒层厚度影响的模拟及优化被引量:1
《微纳电子技术》2011年第3期150-154,193,共6页申艳芬 林兆军 李惠军 张明华 魏晓珂 刘岩 
国家自然科学基金资助项目(10774090)
完成了对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构设计及器件物理特性的验证等工作。使用TCAD软件完成了该器件直流特性及微波特性等性能的模拟。建立该器件的极化效应模型是本项研究的重点。完成了对异质结条件下诸多模型参数的筛选...显示全部
关键词:ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 二维电子气(2DEG) 极化效应 器件模型 
期刊科锐推出芯片型碳化硅功率器件助力高效电力电子模组
《半导体信息》2012年第1期6-7,共2页江兴 
日前,碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFET<sup>TM</sup>MOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电...显示全部
关键词:器件模型 模组 碳化硅材料 电力电子电路 市场领先者 器件 导通电阻 开关损耗 首款 电力电子应用 
期刊肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究
《高技术通讯》2010年第6期632-636,共5页宋瑞良 毛陆虹 郭维廉 谢生 齐海涛 张世林 梁惠来 
973计划(2002CB311905)资助项目
基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻...显示全部
关键词:共振隧穿三极管(RTT) 器件模型 肖特基接触 
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