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期刊130nm NMOS器件的单粒子辐射电荷共享效应被引量:2
《半导体技术》2010年第1期46-49,93,共5页陈超 吴龙胜 韩本光 方勇 刘佑宝 
国家部委基金项目(51308010608)
研究了同一p阱内两个130nm NMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应。使用TCAD仿真构造并校准了130nm NMOS管。研究了在有无p+保护环结构及不同器件间距下,处于截止态的NMOS晶体管之间的电荷共享,给出了电荷共享效应与SET脉冲电...显示全部
关键词:电荷共享 超深亚微米 器件模拟 单粒子辐射 寄生双极管效应 
期刊Small Signal Circuit Model of Double Photodiodes被引量:1
《半导体光子学与技术:英文版》2004年第3期164-167,173,共5页HANJian,zhong NiGuo-qiang MAOLu-hong 
The"973"ProgramforChineseNationalKeyBasicResearch (2 0 0 2CB 31 1 90 5 )
The transmission delay of photogenerated carriers in a CMOS-process-compatible double photodiode (DPD) is analyzed by using device simulation.The DPD small signal equivalent circuit model which includes transmission d...显示全部
关键词:双光电二极管 小信号电路模拟 光电检测器 器件模拟 
期刊印制电路与集成电路
《电子科技文摘》2001年第1期23-31,共9页
SPIE-Vol.3631 01002641999年 SPIE 会议录,卷3631:光电子集成电路与封装(3)=1999 Proceedings of SPIE.Vol.3631:optoelec-tronic integrated circuits and packaging Ⅲ[会,英]/ SPIE-the International Society for Optical Engineer...显示全部
关键词:光电子集成电路 倒装片 印制电路 会议录 光电子器件 器件模拟 电子激光器 光电子学 封装 光学系统 
期刊获1995年国家自然科学二等奖的半导体输运的平衡方程理论项目
《中国科技奖励》1996年第4期26-26,共1页
获1995年国家自然科学二等奖的半导体输运的平衡方程理论项目本刊记者本项目是半导体物理学科领域中一项系统的基础理论研究,同时又有重要的实际意义。随着半导体器件尺寸变小,大量的载流子聚集在微小的空间区域,它们受到的电场...显示全部
关键词:平衡方程理论 半导体输运 自然科 器件模拟 热载流子 二等奖 高电子迁移率晶体管 输运问题 1995年 电子输运 
期刊界面电荷位置对短沟道pMOS器件阈值电压的影响被引量:1
《固体电子学研究与进展》2016年第5期369-373,共5页孙瑞泽 刘毅 张准 贺威 曹建民 
深圳市科技计划项目(JCYJ20160308093947132;JCYJ20140418095735595)
通过二维数值模拟的方法,研究了短沟道器件中不同位置的界面电荷对pMOS器件阈值电压的影响。把pMOS器件栅氧化层等分成不同的区域,随即可以在不同的区域设置不同的界面电荷,从而很好地模拟器件界面电荷处于不同位置时阈值电压漂移的...显示全部
关键词:金属氧化物半导体场效应晶体管器件 负偏压温度不稳定性 器件模拟 界面电荷 
期刊半导体器件
《电子科技文摘》2000年第8期25-26,共2页
Y2000-62185 00126671998年 IEEE 半导体电子学国际会议录=1998 IEEEinternational conference on semiconductor electronics[会,英]/Electron Devices Chapter,IEEE Malaysia Sec-tion.—IEEE,1999.—259P.(EC)
关键词:半导体器件 国际会议 半导体电子学 会议录 情报通信 半导体工艺 光电二极管 器件模拟 研究报告 视频处理 
期刊平面结构4H-SiC BJT击穿特性及终端技术研究
《电子器件2015年第5期972-975,共4页王光 高寅生 
陕西省教育厅科研计划项目(14JK2134);西安市科技计划项目(CXY1352WL24)
为提高4H-Si C双极晶体管(BJT)的耐高压能力,采用Sentaurus TCAD半导体器件模拟软件对采取结终端扩展(JTE)和浮空场限环(FFLRs)两种基本结终端结构的平面型器件的击穿特性和击穿机理进行了比较和分析,并在此基础上进行了器件结构优化设...显示全部
关键词:固态电子器件 击穿电压 器件模拟 终端扩展 浮空场限环 
期刊简化DG OTFT结构对模拟精度的影响
《固体电子学研究与进展》2014年第6期522-525,539,共5页姚阳 王昭 钟传杰 
国家自然基金资助项目(60776056)
使用atlas软件模拟了两种器件结构的电学特性(阈值电压、开关电流比、亚阈值斜率等),其中一种是工艺制造的DG OTFT实际结构,另一种是模拟研究器件电学特性时常采用的DG OTFT简化结构。研究发现实际结构的输出电流会随着源漏电极厚度的...显示全部
关键词:双栅有机薄膜晶体管 器件模拟 电极 
期刊600V CoolMOS优化设计被引量:4
《电子器件2009年第2期296-299,305,共5页杨帆 钱钦松 孙伟锋 
CoolMOS具有优越的直流特性。为了设计出一个600V CoolMOS结构,首先CoolMOS的结构入手,结合电荷平衡理论,分析了其高击穿电压BV、低导通电阻Ron的原理。通过理论计算,得到相关的设计参数,并结合TCAD软件对Cool-MOS的多个参数(外延参数...显示全部
关键词:COOLMOS 电荷平衡 器件模拟 击穿电压 特征导通电阻 
期刊FLASH存储单元结构及功能研究被引量:1
《清华大学学报:自然科学版》1999年第S1期93-96,共4页刘寅 苏昱 朱钧 
国家"九五"科技攻关项目
介绍了不挥发存储器单元FLASH的工艺过程。在工艺模拟的基础上,模拟器件利用热电子注入效应实现写操作和利用F-N隧道效应实现擦操作。分析浮栅电荷量及阈值电压变化同擦写时间的关系,由此确定满足读出0/1信息要求的擦写工...显示全部
关键词:FLASH 热电子效应 器件模拟 
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