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期刊金属栅将取代多晶硅栅
《微电子技术》1999年第6期5-5,共1页荣莹 
关键词:多晶硅 金属栅 栅氧化物 沟槽隔离 栅电极 平面化 虚拟 电子器件 薄层电阻 微电子工程 
期刊沟槽隔离工艺对NMOS器件的影响研究
《电子技术(上海)》2020年第2期22-24,共3页勾鹏 刘巍 景旭斌 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500204)。
基于HLMC 28nm工艺制程,研究了沟槽隔离(STI)对NMOS器件的影响,通过改变栅极到沟槽的距离,从而改变沟槽隔离区域对器件载流子迁移率、掺杂元素轮廓的影响。实验发现沟槽距离栅极越近,STI应力对器件影响越大,具体表现阈值电压偏...显示全部
关键词:集成电路制造 沟槽隔离 应力 器件结构 
期刊沟槽双光电探测器
《电子测量技术》2006年第4期24-25,39,共3页陈瑞鹏 毛陆虹 宋瑞良 
提出一种新型光电探测器,采用沟槽隔离工艺,在双光电探测器基础上制作而成。通过使用Silvaco公司的器件模拟软件Atlas进行器件模拟,分析了沟槽对探测器关键参数的影响,包括响应度和响应速度。结果表明,沟槽双光电探测器具有良好...显示全部
关键词:双光电探测器 沟槽隔离 器件模拟 响应度 
期刊基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究被引量:1
《电子学报》2019年第8期1755-1761,共7页彭超 雷志锋 张战刚 何玉娟 黄云 恩云飞 
国家自然科学基金(No.61704031)
绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)器件的全介质隔离结构改善了其抗单粒子效应性能,但也使其对总剂量效应更加敏感.为了评估SOI器件的总剂量效应敏感性,本文提出了一种基于TCAD(Technology Computer Aided Design)的总剂量效应仿真...显示全部
关键词:绝缘体上硅 总剂量效应 沟槽隔离 TCAD仿真 
期刊小透光率沟槽隔离刻蚀在线量测与形貌和缺陷的研究
《集成电路应用》2021年第7期52-55,共4页昂开渠 张钱 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500204)。
随着CIS技术的发展和广泛应用,小透光率(Transmission rate,TR)的沟槽刻蚀得到最为广泛的应用。针对沟槽刻蚀,特别是小透光率的沟槽隔离刻蚀,研究如何在不同透光率掩模版上精确控制沟槽隔离刻蚀的线宽,深度,膜厚,形貌及优化缺...显示全部
关键词:集成电路制造 沟槽隔离 刻蚀工艺 透光率 掩模版 深度 线宽 膜厚 缺陷 Qtime 
期刊关于STI TOP形貌与晶体管特性的关系的研究
《中国集成电路》2003年第46期75-76,共2页王飞 
随着半导体器件特征尺寸的不断缩小,器件之间的隔离区域也随之要进行相应的缩小。在0.35μm以上的集成电路制造工艺中应用最广泛的隔离技术是 LOCOS(local oxide isolate)技术。该工艺虽然发展历史比较悠久、工艺也比较成熟,但是由于采...显示全部
关键词:沟槽隔离 STI 晶体管 MOS器件 
期刊深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响
《物理学报》2012年第5期92-96,共5页胡志远 刘张李 邵华 张正选 宁冰旭 毕大炜 陈明 邹世昌 
研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷使得寄生的侧壁沟道反型,从而形成大的...显示全部
关键词:总剂量效应 沟槽隔离 氧化层陷阱正电荷 金属氧化物半导体场效晶体管 
期刊40nm狗骨结构对n-MOSFET的性能影响
《半导体技术》2013年第3期203-206,共4页王磊 周建伟 
设计了一组测试结构用来探讨狗骨(dogbone)结构有源区对n-MOSFET性能的影响因素。测试结构和测量数据基于40 nm工艺技术,通过改变狗骨结构有源区的通孔区域到栅极之间的长度(S)来分析对NMOS器件参数如漏端饱和电流、阈值电压和漏电流的...显示全部
关键词:沟槽隔离 狗骨结构 源极 漏极电阻 器件性能 金属氧化物半导体场效应晶体管 
期刊超深亚微米SOI总剂量效应泄漏电流模型
《太赫兹科学与电子信息学报》2019年第6期1107-1111,共5页席善学 郑齐文 崔江维 魏莹 姚帅 何承发 郭旗 陆妩 
中科院西部之光资助项目(2015-XBQN-B-15;2017-XBQNXZ-B-008);国家自然科学基金项目(U1532261;11605282;11505282;11605283)
总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SOIMOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。沟槽隔离(STI)漏电是器件退化的主要因素,会形成漏极到源极的寄生晶体管。针对130nm部分耗尽(PD)SOINMOSFET器...显示全部
关键词:总辐照剂量 绝缘体上硅 模型 沟槽隔离 
期刊阶梯沟槽隔离结构LDMOS耐压机理的研究被引量:1
《微电子学与计算机》2011年第2期56-60,共5页陈文兰 孙晓红 胡善文 陈强 高怀 
提出了一种具有阶梯沟槽隔离结构的LDMOS.阶梯沟槽结构增加了漂移区的有效长度,改善了表面电场及电流的分布,从而提高了器件的击穿电压.借助器件模拟软件Silvaco对沟槽深度、栅长及掺杂浓度等工艺参数进行了优化设计.结果表明,在保...显示全部
关键词:LDMOS 漂移区 沟槽隔离 击穿电压 
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