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期刊肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究
《高技术通讯》2010年第6期632-636,共5页宋瑞良 毛陆虹 郭维廉 谢生 齐海涛 张世林 梁惠来 
973计划(2002CB311905)资助项目
于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻...显示全部
关键词:共振隧穿三极管(RTT) 器件模型 肖特基接触 
期刊氧气等离子体处理对AlGaN肖特基接触的影响被引量:1
《功能材料与器件学报》2004年第4期451-454,共4页唐广 郝智彪 钱可元 罗毅 
国家自然科学金(No.60244001);清华大学础研究金(No.JZ2002005)资助项目
研究了不同的干法刻蚀以及氧气等离子体处理条件对AlGaN表面特性的影响。在合适的条件下,氧气等离子体处理可以使AlGaN表面发生氧化,并使肖特基接触的反向漏电流降低两个数量级,反向击穿电压也有显著提高。该方法简单易行,可应用于制备...显示全部
关键词:ALGAN 肖特基接触 等离子体 
期刊Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为被引量:2
《半导体学报:英文版》2003年第3期279-283,共5页张泽洪 孙元平 赵德刚 段俐宏 王俊 沈晓明 冯淦 冯志宏 杨辉 
国家自然科学金 (批准号 :6 982 5 10 7);NSFC-RGC联合金 (批准号 :5 0 0 116 195 3;N_HKU0 2 8/ 0 0 )资助项目~~
在金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n GaN上用Pt制成了肖特基接触 ,并在 2 5 0~6 5 0℃范围内对该接触进行退火 .通过实验发现 ,Pt与非故意掺杂n GaN外延薄膜可以形成较好的肖特基接触 ,而适当的退火温度可以有效地改...显示全部
关键词:GAN PT 肖特基接触 退火 MOVPE 
期刊Ni/AlGaN/GaN结构中肖特基势垒温度特性被引量:2
《北京工业大学学报》2008年第4期365-368,共4页张小玲 谢雪松 吕长志 李志国 
通过I-V测量研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触与温度的关系.在室温下肖特基势垒高度为0.75 eV,理想因子为2.06.温度升高,肖特基势垒高度增加,理想因子下降,主要原因是受异质结和二维电子气的影响.在正向电流为1 mA时,室温下的正...显示全部
关键词:肖特基接触 A1GAN/GAN HEMT 温度特性 
期刊Effects of rapid thermal annealing on ohmic contact of AlGaN/GaN HEMTs被引量:1
《半导体学报:英文版》2014年第2期147-150,共4页朱彦旭 曹伟伟 范玉宇 邓叶 徐晨 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61107026);the Scientific Research Fund Project of Municipal Education Commission of Beijing(No.KM201210005004)
Ohmic contacts with Ti/Al/Ti/Au source and drain electrodes on AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) were fabricated and subjected to rapid thermal annealing(RTA) in flowing N2. The wafer was divided int...显示全部
关键词:快速热退火 HEMT器件 欧姆接触 ALGAN 高电子迁移率晶体管 接触电阻 肖特基接触 传输线模式 
期刊The Cu Based AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode
《中国物理快报:英文版》2015年第6期192-194,共3页李迪 贾利芳 樊中朝 程哲 王晓东 杨富华 何志 
Supported by the National High Technology Research and Development Program of China under Grant No 2014AA032606 and No 2014AA032602;the Beijing Municipal Science and Technology Project under Grant No Z131100005913001
The electrical characteristics of Cu and Ni/Al AlGaN/GaN Schottky barrier diodes on Si su bstrates are compared. The onset voltage of Cu Schottky diodes is about 0.4 V less than the Ni/Al contact. For the Cu/Ni Schott...显示全部
关键词:ALGAN/GAN 肖特基二极管  泄漏电流 起始电压 肖特基接触 铜/镍 电气特性 
期刊皮秒脉冲激光照射下碲镉汞光伏红外探测器的负光伏响应新现象被引量:3
《红外与毫米波学报》2009年第3期161-164,共4页崔昊杨 李志锋 马法君 胡晓宁 叶振华 陆卫 
国家自然科学金项目(10734090,10234040,60476040)
利用皮秒脉冲激光激发碲镉汞线列探测器上的光敏元,发现光伏响应表现为在最初大约15 ns范围内首先形成一个明显的负光生电压的响应谷,之后才演变为正的光伏响应峰.改变入射激光脉冲的光子能量发现,无论是光子能量大于禁带宽度的单光子...显示全部
关键词:碲镉汞 脉冲激发 瞬态光伏响应 肖特基接触 
期刊于双肖特基接触GaN薄膜特性参数测试新方法
《半导体学报:英文版》2004年第12期1730-1734,共5页罗谦 杨谟华 杜江锋 梅丁蕾 王良臣 白云霞 
国家自然科学金资助项目 (批准号 :60 0 72 0 0 4)~~
提出了一种 Ga N薄膜电学参量测试新方法 .该方法于双肖特基结二极管结构 ,利用非对称的电极图形获取整流特性 ,从而省去了复杂的欧姆接触形成工艺 ,可方便地导出电子电导迁移率和肖特基接触理想因子等特征参数 .对残留载流子浓度为 7...显示全部
关键词:GAN 肖特基接触 测量方法 
期刊Parameter analysis for gate metal-oxide-semiconductor structures of ion-implanted 4H silicon carbide metal-semiconductor field-effect transistors
《中国物理B:英文版》2010年第9期510-514,共5页王守国 张义门 张玉明 
From the theoretical analysis of the thermionic emission model of current-voltage characteristics, this paper extracts the parameters for the gate Schottky contact of two ion-implanted 4H-SiC metal-semiconductor field...显示全部
关键词:金属氧化物半导体场效应晶体管 离子注入 碳化硅 结构分析 小时 肖特基接触 植入 栅极 
期刊ZnO上肖特基接触的研究进展被引量:3
《真空科学与技术学报》2008年第2期126-132,共7页方亮 董建新 张淑芳 张文婷 彭丽萍 吴芳 孔春阳 
教育部新世纪优秀人才支持计划(No.NCET-05-0764);重庆市科技攻关(No.CSTC2005AA4006-A6);重庆市自然科学重点金项目(No.CSTC2005BA4016);重庆大学研究生创新金(No.200801A1B0060265)
由于ZnO存在本征施主缺陷(锌间隙和氧空位),使得表面存在较高浓度的施主能级,难以获得肖特基接触。本文回顾了近年来在n型ZnO上制备肖特基接触的研究进展,对n型ZnO上制备肖特基接触的Au、Pt、Pd、Ag等金属方案的性能与特点,以及影响接...显示全部
关键词:ZNO 肖特基接触 泄露电流 理想因子 
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