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期刊一种高结终端效率1700V/10A SiC功率MOSFET
《半导体技术》2020年第9期685-689,695,共6页刘岳巍 杨瑞霞 张志国 王永维 邓小川 
国家自然科学基金资助项目(61774054)。
设计了一种具有分组缓变间距场限环(MGM-FLR)结终端结构的SiC功率MOSFET,并基于国内现有的SiC电力电子器件工艺平台进行了流片,完成了1700 V/10 A SiC功率MOSFET样品的制备。测试结果表明,MGM-FLR结构有效调制并优化了结终端区域的表面...显示全部
关键词:SiC MOSFET 场限环 击穿电压 阈值电压 高温反偏(HTRB) 
期刊一种用于LCD驱动的高效电荷泵的设计被引量:4
《电子工程师》2004年第11期56-58,共3页沈乐丰 刘三清 余国义 
电荷泵是一种流行的获取高于供电电源的直流电压转换技术。传统的电荷泵电路采用二极管连接的NMOS管级联来获取较高的电压 ,由于阈值电压的作用 ,这种电荷泵的提升效率会随着级数的增加而下降。为了提高效率 ,文中提出了一种提升 5倍电...显示全部
关键词:电荷泵 LCD驱动 阈值电压 
期刊新型萘环衍生物类液晶的研究进展被引量:4
《化学世界》2004年第4期212-217,共6页安忠维 高嫒嫒 刘建群 
新型的萘环衍生物类液晶化合物具有优越的物理性能,是近年来显示用液晶材料研究的热点领域。综述了萘环衍生物类液晶对混合液晶物理性能的影响。大量文献数据表明其可加宽混合液晶的向列相温度范围;增大介电各向异性;降低阈值电压以及...显示全部
关键词:萘环衍生物 液晶 向列相 阈值电压 双折射率 介电各向异性 
期刊浮栅技术及其应用被引量:4
《现代电子技术》2004年第24期8-10,共3页张家龙 何怡刚 
介绍了浮栅技术的基本原理及应用情况。并对 2种应用了浮栅技术的典型器件—浮栅 MOS晶体管和神经MO S晶体管做了详细介绍 ,分析了他们的基本结构和工作原理 ,以及建立浮栅 MOS晶体管的等效模型 ,并说明了他们的应用情况及存在的不足。
关键词:浮栅技术 隧道效应 电子陷阱 浮栅MOS晶体管 神经MOS晶体管 阈值电压 
期刊基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅LDMOS阈值电压模型被引量:5
《电子学报》2007年第5期844-848,共5页代月花 高珊 柯导明 陈军宁 
国家自然科学基金(No.60576066);安徽省高等学校青年教师科研基金(No.2005kj1031)
本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS结构.该结构引入栅工程的概念,将LDMOST的栅分为n型多晶硅栅和p型多晶硅栅两部分,从而提高器件电流驱动能力,抑制SCEs(short channel effects)和DIBL(drain-inducedbarrier lowering).通过求解二...显示全部
关键词:复合多晶硅栅 LDMOS 阈值电压 
期刊双栅MOSFET'S的短沟道效应
《微处理机》1989年第1期42-49,共8页方凯 
双栅 MOS 场效应晶体管(DG-MOSF-ET'S)随沟道长度的缩短而阈值电压和击穿电压等相应的降低,即出现了所谓短沟道效应。本文就是对这种特性进行分析和推导。以使对 DG-MOSFET'S 有更进一步的认识,从而达到更广泛的应用。
关键词:沟道效应 沟道长度 击穿电压 场效应晶体管 阈值电压 硅栅自对准工艺 反型层 栅源 表面势 耗尽层 
期刊一种电压编程型AMOLED像素电路设计
《智能计算机与应用》2020年第10期127-130,共4页张立文 曾涌韬 关肖飞 李月华 王新林 何红宇 
超快微纳技术与激光先进制造湖南省重点实验室(2018TP1041);湖南省自然科学基金(2019JJ40246);衡阳市科技局科学研究项目(2016KG75)。
本文改进了一种由5个薄膜晶体管和二个电容(5T2C)构成的电压编程型AMOLED像素驱动电路,用来补偿驱动晶体管的阈值电压和迁移率漂移对OLED驱动电流的影响。通过对电容布局和数据输入阶段时序进行优化,产生一个与驱动晶体管迁移率成正相...显示全部
关键词:像素电路 电压编程 阈值电压 迁移率 OLED退化 
期刊英特尔发布最新NTV、WiFi技术助力打造高效移动互联新体验
《微电脑世界》2012年第4期17-17,共1页
在前不久举行的第59届ISSCC(国际固态电路会议)上,英特尔公开发布了最新的NTV技术(Near Threshold Voltage,近阈值电压)以及基于英特尔凌动片上系统SoC、集成了RFWiFi接收器的测试芯片(研发代号Rosepoint)。
关键词:英特尔 移动互联 WiFi 技术 国际固态电路会议 片上系统SOC ISSCC 阈值电压 
期刊工艺偏差下PMOS器件的负偏置温度不稳定效应分布特性被引量:1
《物理学报》2016年第16期261-267,共7页汤华莲 许蓓蕾 庄奕琪 张丽 李聪 
国家自然科学基金(批准号:61574109);微光夜视技术重点实验室基金项目(批准号:9140C380502150C38001);中央高校基本科研业务费(批准号:JB141109)资助的课题~~
当器件特征尺寸进入纳米级,负偏置温度不稳定性(NBTI)效应和工艺偏差都会导致p 型金属氧化层半导体(PMOS)器件性能和可靠性的下降.基于反应-扩散(R-D)模型,本文分析了工艺偏差对NBTI效应的影响;在此基础上将氧化层厚度误差和...显示全部
关键词:p型金属氧化层半导体 负偏置温度不稳定性 工艺偏差 阈值电压 
期刊复合栅介质对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响被引量:1
《半导体技术》2018年第11期815-822,共8页张佩佩 张辉 张晓东 于国浩 徐宁 宋亮 董志华 张宝顺 
国家自然科学基金青年基金资助项目(61306100);江苏省重点研发计划资助项目(BE2016084);中国科学院纳米器件与应用重点实验室青年支持项目(2017QZ01)
由于LPCVD-Si3N4具有良好的介电特性,常用作AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)的栅介质,然而在高温生长中,易造成GaN界面Ga和N的扩散。针对此问题,提出了一种采用SiON/Si3N4复合绝缘材料作为HEMT器件栅介质的方法,制备了高质量...显示全部
关键词:ALGAN/GAN 复合栅介质 金属-绝缘层-半导体-高电子迁移率晶体管(MI-SHEMT) 阈值电压 界面态 
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