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期刊Study on Surface Morphology of gan Growth by MOCVD on gan/si(111) Template
《稀土学报:英文版》2006年第z1期11-13,共3页Liu Zhe Wang Junxi Wang Xiaoliang Hu Guoxin Guo Lunchun Liu Hongxin Li Jianping Li Jinmin Zeng Yiping 
The surface morphology of gan grown by MOCVD on gan/si template was studied. Rough morphology and deep pinhole defects on some surface areas of the samples were observed and studied. The formation of rough morphology ...显示全部
关键词:SURFACE MORPHOLOGY gan/si TEMPLATE gan MOCVD 
期刊三垦公司宣布造出首只gan/si倒相器
《半导体信息》2009年第3期13-13,共1页陈裕权 
关键词:gan/si 倒相器 si 
期刊TriQuint的gan/si HEMT达到创纪录功率水平
《半导体信息》2004年第6期28-29,共2页陈裕权 
TriQuint Semiconductor公司的研究人员宣布制造出世界上最大功率的si衬底Al-gan/gan HEMT。该公司理查森研究室的D.
关键词:功率水平 gan/si HEMT TRIQUINT 最大功率 功率密度 理查森 击穿电压 栅长 最大电流密度 大功率晶体管 
期刊STMicroelectronics制造出gan/si(001)HEMT
《半导体信息》2006年第4期29-29,共1页陈裕权 
关键词:外延片 薄层电阻 势垒层 gan/si HEMT 晶向 纤锌矿型 电路集成 硅产业 氧化层 
期刊光导型gan/si探测器的研制被引量:7
《功能材料与器件学报》2000年第3期256-258,共3页江若琏 席冬娟 赵作明 陈鹏 沈波 张荣 郑有炓 
863计划;国家自然科学基金资助项目!(69987001;69636010;69806006)
采用MOCVD技术在si(111)衬底上生长gan薄膜,以此材料制备成光导型sigan紫外探测器。探测器的光谱响应表明,在紫外波段250-360nm有近于平坦的光电流响应,363nm附近有陡峭的截止边,357nm波长处5V偏压下的响应度高达6.9A/W。响应度...显示全部
关键词:响应度 光导型gan/si探测器 研制 MOCVD 
期刊si基n型gan的欧姆接触研究
《真空科学与技术》2003年第1期40-42,共3页李嘉炜 何乐年 陈忠景 叶志镇 
国家重点基础研究发展规划项目 (No G2 0 0 0 0 683 0 6)
gan材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本文对si基n型gan上的Al单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I U特性曲线 ,X射线衍射以及二次离子质谱分析 ,揭示了界面固相反应对欧姆...显示全部
关键词:欧姆接触 si基n型gan 半导体 界面固相反应 二次退火 氮化镓 
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