结果分析中...
检索条件:"关键词=hemt "
条 记 录,以下是1-10
|
视图:
排序:
期刊通用于GaAs MESFET和hemt的精确I_(ds)模型被引量:3
《半导体情报》1997年第4期36-38,共3页高学邦 蒋敬旗 廖斌 
回顾了十年来国内外在GaAsFET大信号模型方面的研究进展,提出了可用于MESFET和HEMT的统一的精确沟道电流模型。
关键词:IDS模型 MESFET hemt 砷化镓 
期刊hemt的静态和小信号解析模型被引量:2
《半导体学报:英文版》1995年第4期282-290,共9页张义门 龚仁喜 张玉明 吴拥军 
本文在提出一个新的二段非线性2DEG模型的基础上,建立了HEMT的静态和高频解析模型.对交流波动方程采用Bessel函数法得到精确解.由直流特性和表征高频特性的参数和实验数据的比较表明,本模型与实验符合得相当好.
关键词:hemt 晶体管 静态模型 小信号 解析模型 
期刊高电子迁移率晶体管新结构
《半导体光电》1996年第2期134-136,共3页赵俐 王志杰 殷景志 龙北生 
介绍了通过插入InAs层到InGaAs沟道中,改善了InAlAs/InGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)的性质,合适的InAs层厚度和准确的插入位置会使在300K时此结构的HEMT比普通结构的HEMT的迁移率和电...显示全部
关键词:hemt 光电晶体管 迁移率 电子速度 
期刊AlGaN/GaN hemt氢气传感器室温下响应特性的研究
《广州化工》2020年第14期57-60,共4页陈金龙 阎大伟 王雪敏 曹林洪 吴卫东 
西南科技大学龙山人才科研支持计划(18LZX438)。
制作了基于AlGaN/GaN hemt结构的微型氢气传感器。本文研究了室温条件下栅压与传感器氢气响应特性的关系。研究结果表明随着外加栅压(-2.5 V至0.5 V)的增大,传感器对氢气响应的灵敏度减小,最大灵敏度在阈值电压V G=-2.5 V处,传感器对25 ...显示全部
关键词:AlGaN/GaN hemt 氢气传感器 栅压 灵敏度 
期刊X波段400 W GaN内匹配功率管被引量:2
《固体电子学研究与进展》2018年第4期235-238,250,共5页唐世军 顾黎明 陈韬 彭劲松 
报道了X波段脉冲输出功率超过400 W的GaN hemt内匹配功率管。该器件内部包含了4只14.4mm栅宽GaN hemt管芯。输入输出同时采用了一级L-C阻抗变换和两级微带阻抗变换器。该器件在9.0~10.0GHz频带内,在漏极电压为50V、脉冲宽度100μs、占空...显示全部
关键词:氮化镓 高电子迁移率晶体管 内匹配功率管 X波段 
期刊光控赝配hemt静态特性的PSPICE模拟
《厦门大学学报:自然科学版》2002年第3期301-305,共5页肖雪芳 傅任武 陈朝 
国家自然科学基金 (6 98870 0 2 ) ;福建省自然科学基金 (A992 0 0 0 2 );教育部经费资助项目
提出光敏赝配倒置hemt的静态模型 .该模型是一个四端口的器件 ,其中P端口用来处理输入光信号 ,运用此模型能够模拟不同光功率及光波长下输入光对器件输出电流的影响 .通过PSPICE对光敏Phemt的DC特性进行数值模拟 ,得到的数值结果与Mars...显示全部
关键词:光控赝配 hemt 静态特性 PSPICE模拟 异质结构 场效应晶体管 光敏机制 光功率 
期刊AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN hemt材料电学性能的影响
《发光学报》2014年第7期830-834,共5页钟林健 邢艳辉 韩军 陈翔 朱启发 范亚明 邓旭光 张宝顺 
国家自然科学基金(61204011;11204009;61107026;61006084);国家自然科学基金重点基金(U103760);北京市自然科学基金(4142005)资助项目
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,在蓝宝石(0001)面上外延不同生长时间AlN隔离层的AlxGa1-xN/AlN/GaN结构的高电子迁移率的晶体管(hemt),研究了AlN隔离层厚度对hemt材料电学性能的影响。研究发现采用脉冲法外延(PALE)技术生长AlN...显示全部
关键词:AlN厚度 PALE MOCVD hemt 电学性能 
期刊增强型GaN hemt凹槽栅刻蚀技术研究进展被引量:3
《微纳电子技术》2018年第10期762-767,774,共7页白欣娇 袁凤坡 李晓波 王文军 李路杰 
北京市科技重大专项资助项目(Z171100002017012)
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNhemt)在材料生长和工艺制备方面已取得了巨大的进展,但增强型器件的制备仍是限制其广泛使用的重要原因。归纳了目前制备增强型器件的几种方法:P型栅、F离子注入、凹槽栅、薄势垒层和共源共栅技术等,...显示全部
关键词:ALGAN/GAN hemt 增强型 凹槽栅 反应离子刻蚀 干法刻蚀 
期刊帽子层对势垒层掺杂的GaN基hemt电学性能影响模拟
《常州大学学报:自然科学版》2010年第4期1-5,共5页张佳丽 袁宁一 叶枫 丁建宁 
研究了势垒层掺杂的GaN基hemt结构上的帽子层对该器件电学特性的影响。并对i-AlGaN,i-GaN,i-InGaN3种不同材料的帽子层进行比较。从模拟结果可知,i-AlGaN帽子层虽然提高了GaN基hemt的阈值电压,但同时也提高了跨导和最大漏源饱和电流,在...显示全部
关键词:ALGAN/GAN hemt 器件模拟 输出特性 转移特性 
期刊冲电气公司开发功率GaN hemt
《半导体信息》2003年第5期34-34,共1页孙再吉 
据日本《电子材料》2003年第5期报道,日本冲电气工业公司日前开发了用于无线通信的GaN—hemt功率器件。随着无线通信系统通信容量的增加以及多信道化的发展,在系统内要求收发信机的低功耗和高密度化。该公司为了适应新品的要求开发了以...显示全部
关键词:GaN hemt 通信容量 高密度化 信道化 截止频率 跨导 无线通信 电气公司 电气工业 收发信机 
共47页<12345678910
聚类工具

北京电子科技职业学院特色库 版权所有 ©2018