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期刊Study on Surface Morphology of GaN Growth by mocvd on GaN/Si(111) Template
《稀土学报:英文版》2006年第z1期11-13,共3页Liu Zhe Wang Junxi Wang Xiaoliang Hu Guoxin Guo Lunchun Liu Hongxin Li Jianping Li Jinmin Zeng Yiping 
The surface morphology of GaN grown by mocvd on GaN/Si template was studied. Rough morphology and deep pinhole defects on some surface areas of the samples were observed and studied. The formation of rough morphology ...显示全部
关键词:SURFACE MORPHOLOGY GaN/Si TEMPLATE GAN mocvd 
期刊Properties of GaSb Substrate Wafers for mocvd Ⅲ-Ⅴ Antimonids
《稀有金属:英文版》1998年第3期2-6,共5页彭瑞伍 丁永庆 徐晨梅 王占国 
1IntroductionTheGaSbsinglecrystalsareoftenusedasthesubstratematerialsforpreparingepilayersoflightemitingan...显示全部
关键词:GASB SUBSTRATE GAINASSB EPILAYER mocvd ANTIMONIDE PL FTIR DCXD 
期刊Growth and Characterization of Semi-Insulating GaN Films Grown by mocvd
《稀土学报:英文版》2006年第z1期14-18,共5页Fang Cebao Wang Xiaoliang Hu Guoxin Wang Junxi Wang Cuimei Li Jinmin 
Project supported by Special Funds for Major State Basic Research Project (G20000683 and 2002CB311903); National Natural Science Foundation of China (60136020); Key Innovation Program of Chinese Academy of Science and National High Technology R&D Program of China (2002AA305304)
High resistivity unintentionally doped GaN films were grown on (0001) sapphire substrates by metalorganic chemical vapor deposition. The surface morphology of the layer was measured by both atomic force microscopy and...显示全部
关键词:mocvd GAN RESISTIVITY TSC 
期刊金属有机化学气相沉积法制备钛酸铅铁电薄膜被引量:4
《物理学报》1996年第10期1729-1736,共8页孙力 陈延峰 于涛 闵乃本 姜晓明 修立松 
国家高技术研究发展计划
利用低压MOCVD工艺分别在(001)取向的LaAlO3,SrTiO3和重掺杂硅单晶衬底上制备PbTiO3铁电薄膜,并通过X射线衍射谱对薄膜的微结构进行分析.X射线θ-2θ扫描显示硅衬底上得到了PbTiO3多晶薄膜,...显示全部
关键词:钛酸铅 铁电薄膜 mocvd 
期刊mocvd生长的GaN单晶膜的蓝带发光研究被引量:7
《发光学报》2000年第1期29-32,共4页李述体 王立 辛勇 彭学新 熊传兵 姚冬敏 江风益 
国家"8 63"新材料领域资助( 715 -0 0 1-0 0 12 );国家自然科学基金!( 696760 19);江西省跨世纪人才项目
对实验室用 mocvd方法生长的未掺杂 Ga N单晶膜的发光性能进行了研究。结果表明 :在室温时未掺杂 Ga N单晶出现的能量为 2 .9e V左右蓝带发光与补偿度有较强的依赖关系。高补偿 Ga N的蓝带发射强 ,低补偿 Ga N的蓝带发射弱。对蓝带发光...显示全部
关键词:mocvd 光致发光 补偿度 氮化镓 单品膜 
期刊mocvd方法生长的氧化锌薄膜及其发光特性被引量:33
《发光学报》2001年第2期119-124,共6页傅竹西 林碧霞 祝杰 贾云波 刘丽萍 彭小滔 
国家自然科学基金资助项目 ( 5 9872 0 3 7) ;安徽省科委自然科学基金资助项目 ( 9864 15 5 0 ) ;国家科委专项资金资助项目(国科
近年来 ,随着近紫外光发射氧化锌薄膜研究的进展 ,许多先进的薄膜生长手段被广泛采用。本文探索了用mocvd方法在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 ,试验了用几种不同的有机金属源生长ZnO薄膜 ;研究了源材料及生长压力和温度对薄膜生长的影...显示全部
关键词:氧化锌 薄膜制备 结构特性 光致发光 mocvd 发光特性 
期刊退火对mocvd法生长ZnO薄膜性能的影响被引量:2
《半导体光电》2004年第2期151-154,共4页张源涛 杨小天 赵佰军 刘博阳 杨天鹏 李万成 刘大力 杨树人 杜国同 
国家"863"计划资助项目(2001AA311130);国家自然科学基金(60177007;60176026).
采用mocvd方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1h。生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长。光电子能谱(XPS)分析显示,退火后ZnO薄膜从富Zn生长变为富O生长。在样品的室温P...显示全部
关键词:ZNO薄膜 SI衬底 mocvd 退火 
期刊直流溅射缓冲层生长ZnO/Si薄膜被引量:2
《人工晶体学报》2006年第1期135-138,共4页姚然 朱俊杰 段理 朱拉拉 傅竹西 
国家自然科学基金资助项目(No.90201038No.50472009No.10474091)
ZnO是一种新兴的的宽禁带半导体材料,相对于传统的宽禁带材料有很多的优势。在相对成本低廉的S i衬底上生长ZnO薄膜是现在攻关的热门课题。目前用缓冲层方法生长ZnO薄膜取得了一些突破。本文利用直流溅射,先在S i衬底上溅射一层ZnO多晶...显示全部
关键词:氧化锌 直流溅射 mocvd 缓冲层 
期刊利用双低温缓冲层和插入应变超晶格技术制备高质量InP-on-GaAs复合衬底的mocvd生长(英文)被引量:2
《半导体学报:英文版》2008年第10期1855-1859,共5页周静 任晓敏 黄永清 王琦 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2003CB314901);国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA03Z418);111项目(批准号:B07005)资助项目~~
提出一种结合双低温缓冲层和应变超晶格优势的高质量InP-on-GaAs复合衬底制备技术.研究发现LT-InP/LT-GaAs的双低温缓冲层比单一低温InP缓冲层的聚集应变的效果更为显著.并且,双低温缓冲层中的低温GaAs层存在一个最优生长厚度.当低温In...显示全部
关键词:InP-on-GaAs 双低温缓冲层 InGaP/InP应变超晶格 mocvd 
期刊Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on silicon substrates by mocvd被引量:1
《中国科学:物理学、力学、天文学英文版》2011年第10期1815-1818,共4页LI HaiOu HUANG Wei LI SiMin TANG ChakWah LAU KeiMay 
Metamorphic Al0.50In0.50As/Ga0.47In0.53As high electron mobility transistors (mHEMTs) grown by Metal Organic ChemicalVapor Deposition (mocvd) on n-type silicon substrates with introduction of a novel multi-stage buffe...显示全部
关键词:HEMT器件 mocvd GAINAS 硅衬底 变质 高电子迁移率晶体管 最高振荡频率 金属有机 
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