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期刊sih4与HX(X=F,Cl,Br,I)形成的二氢键复合物的结构特性及本质被引量:3
《化学学报》2008年第3期301-307,共7页刘红 陈燕芹 王一波 
国家自然科学基金(No.20463002);毕节学院科学研究基金(No.20072006)资助项目
sih4与HX形成的二氢键复合物的结构特征及本质进行了探讨.在MP2/6-311++G(3d,3p)水平优化、频率验证得到复合物的分子结构,通过分子间距离及电子密度等值线图,确认sih4与卤化氢已形成了二氢键复合物.MP2/6-311++G(3d,3p)水平下进行BSS...显示全部
关键词:二氢键 对称性匹配微扰理论 sih4 卤化氢 本质 
期刊CVD淀积SiC薄膜sih_4、CH_4的分解反应的计算机模拟研究被引量:2
《计算机与现代化》2000年第3期21-25,40,共6页张洪涛 许辉 徐重阳 邹雪城 王长安 赵伯芳 周雪梅 
采用化学气相淀积 ( CVD)淀积 Si C薄膜中 Si H4、CH4的分解反应方程对 Si H4、CH4的分解产物种属进行数学建模 ,并结合相关热力学数据进行计算机模拟 ,得出 Si H4分解产物中以 Si H2 为最多 ,CH4以 CH2 为最多 ,表明它们在淀积薄膜中...显示全部
关键词:化学气相淀积 SIC薄膜 sih4 CH4 计算机模拟 
期刊sih_4、N_2二元混合气在低O_2态下的潜在危险性被引量:1
《低温与特气》2004年第1期32-34,共3页沃银花 王少楠 余京松 
通常硅烷与氧很难共存,人们也决不会贸然在硅烷气体中作掺氧试验。一次偶然的机会,我们做配制sih4与N2二元混合气的实验,事后发现所用N2中含氧量为4 2%(体积分数)。由此我们知道这种处于亚稳状态的硅烷混合气其潜在的危险非常之大。
关键词:二元混合气 硅烷 氮气 sih4 N2 低O2态 爆炸行为 亚稳状态 潜在危险性 
期刊Effect of Ar on Polycrystalline Si Films Deposited by ECR-PECVD using sih_4
《材料科学技术:英文版》2008年第5期690-692,共3页Hua CHENG Aimin WU Nanlin SHI Lishi WEN 
In this paper,polycrystalline silicon films were deposited by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition(ECR-PECVD)using sih_4/Ar and sih_4/H_2 gaseous mixture.Effects of argon flow rate on...显示全部
关键词:多晶体硅薄膜 sih4 沉淀物 电子回旋加速器 蒸气 
期刊sih_4分子的单脉冲激光光声光谱被引量:1
《河北大学学报:自然科学版》1991年第1期25-30,共6页张连水 张贵银 韩理 傅广生 张开锡 
国家自然科学基金资助项目
本工作测得了在 926.96cm^(-1)~108844.72cm^(-1)波段 sih_4分子与CO_2激光谱线对应的光声光谱,确定了sih_4分子的最佳吸收线位置,还用光声谱法测得了声音的传播速度及V-T驰豫时间,验证了在小的光强时光声信号与光强的线性关系.
关键词:硅烷 光声光谱 单脉冲 sih4 
期刊Inverse hydrogen bonds between sih_4 and hydrides of Na,Mg and Be
《中国科学:化学英文版》2011年第1期186-193,共8页YUAN Kun ZUO GuoFang LIU YanZhi ZHU YuanCheng LIU XinWen ZHANG JunYan 
supported by the National Natural Science Foundation of China (50975273);the "QingLan" Talent Engineering Funds of Tianshui Normal University
The optimized geometries of the three complexes between MeHn (Me=Na,Mg,Be;n=1 or 2) and sih4 have been calculated at the B3LYP/6-311++g**,MP2/6-311++g(3df,3pd) and MP2/aug-cc-pvtz levels,respectively.The red-shift inv...显示全部
关键词:sih4 氢化钠 氢键 氢化物 优化几何构型  电子供体 相对稳定性 
期刊半导体生产用剧毒气体解毒技术的研究
《低温与特气》2009年第1期1-3,共3页孙福楠 吴江红 柳蔚 李英辉 于大秋 冯庆祥 
在半导体制造过程中,需要使用大量有毒性气体,如sih4、B2H6、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有毒,对人身及环境有危害性,为了确保IC等新型半导体材料产业顺利发展,开展气体解毒研究意义重大。传统...显示全部
关键词:半导体 剧毒有害气体 sih4 B2H6 GeH4 PH3 AsH3 干法解毒 
期刊Preparation of Ultrafine Si Powders from sih_4 by Laser-induced Gas Phase Reaction
《材料科学技术:英文版》1995年第1期71-74,共4页Yali LI Yong LIANG Kesheng XIAO Fen ZHENG and Zhuangqi HU(State Key Laboratory of Rapidly Solidified Nonequlibrium Alloys, Institute of Metal Research,Chinese Academy of Sciences, Shenyang, 110015, China) 
High quality ultrafine Si powders have been synthesized from sih4 by laser induced gas phase reaction. The powders prduced under different synthesis conditions have mean particle size of 10-120nm in diam. with narrow ...显示全部
关键词:Si Preparation of Ultrafine Si Powders from sih4 by Laser-induced Gas Phase Reaction FIGURE 
期刊玻璃基板上硅薄膜附着力的研究被引量:2
《玻璃》2005年第2期3-4,21,共3页朱建强 姜英娜 宋晨路 韩高荣 
采用APCVD工艺,以sih4为原料在不同温度的玻璃基板上硅质薄膜的制备,采用划痕法测量薄膜与基板之间的附着力,研究了薄膜附着力随基板温度变化趋势。说明了吸附、扩散的增强以及沉积速率的增大等都会导致薄膜附着力的增加。
关键词:玻璃基板 附着力 硅薄膜 cVD工艺 sih4 变化趋势 基板温度 沉积速率 划痕法 硅质 
期刊sih_4与AB型卤素互化物之间的反转氢键被引量:2
《物理化学学报》2010年第8期2286-2291,共6页刘红 陈燕芹 杨玉琼 
贵州省教育厅自然科学研究基金(2008075);毕节学院科学研究基金(20082006)资助项目~~
采用从头算方法对sih4与AB型卤素互化物(ClF、BrF、IF、ICl、IBr、BrCl)形成的复合物的结构特征及本质进行了探讨.在MP2/6-311++G(3d,3p)水平上优化复合物的分子结构,并进行频率验证.通过分子间距离、自然键轨道(NBO)净电荷迁移数及分子...显示全部
关键词:反转氢键 对称匹配微扰理论 sih4 卤素互化物 
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